本发明涉及单相纳米层状
陶瓷粉体及制备方法,具体为一种原位反应制备纳米层状Ta2AlC陶瓷粉体及其制备方法。所述纳米层状Ta2AlC陶瓷属六方晶系,空间群为P63/mmc,单胞晶格常数a为3.08,c为13.85。它是优良的热电导体,可以作为金属基
复合材料的增强相,也可以作为陶瓷基复合材料的弱界面相提高韧性,具有实际应用价值。单相Ta2AlC粉体具体制备方法是:首先,以钽粉、铝粉、石墨粉为原料,干燥条件下在树脂罐中球磨5~30小时,过筛后装入石墨模具中冷压成型(5~20MPa),在真空或通有氩气的炉内热处理,升温速率为5~20℃/分钟,在1500~1650℃处理时间为20~120分钟,冷却后的样品经除去表面杂质、破碎和过筛,获得粉体。本发明制备的Ta2AlC陶瓷粉体具有纯度高、颗粒度小和均匀性好的特点。
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