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低逾渗石墨烯/高分子电磁屏蔽材料的制备方法

954   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:04:16
本发明涉及一种低逾渗石墨烯/高分子电磁屏蔽材料的制备方法,复合材料主要原料按以下重量百分比构成:超高分子量聚乙烯UHMWPE94~99.7%,氧化石墨烯GONS0.3~6%。其制备工艺如下:(1)原料干燥;(2)GONS/UHMWPE导电粒子制备;(3)高温压制成型。本发明利用材料热压制备过程中的高温原位还原氧化石墨烯,避免了氧化石墨烯在化学还原过程中的团聚。使复合材料拥有更低的导电逾渗值,更高的电导率和电磁屏蔽性能,且制备过程简单,工艺易于掌握,生产成本低,容易实现大批量生产。
声明:
“低逾渗石墨烯/高分子电磁屏蔽材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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