本发明涉及一种低逾渗
石墨烯/高分子电磁屏蔽材料的制备方法,
复合材料主要原料按以下重量百分比构成:超高分子量聚乙烯UHMWPE94~99.7%,氧化石墨烯GONS0.3~6%。其制备工艺如下:(1)原料干燥;(2)GONS/UHMWPE导电粒子制备;(3)高温压制成型。本发明利用材料热压制备过程中的高温原位还原氧化石墨烯,避免了氧化石墨烯在化学还原过程中的团聚。使复合材料拥有更低的导电逾渗值,更高的电导率和电磁屏蔽性能,且制备过程简单,工艺易于掌握,生产成本低,容易实现大批量生产。
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