本发明涉及一种氧敏
复合材料的制备方法。主 要解决目前制备单一氧化物半导体氧敏材料需要贵 金属催化剂,且氧敏特性差的问题,提出了采用氧化 钛-氧化铌两种氧化物为源物质,制备复合氧敏材料 的方法,其操作步骤为:(1)将两种不同比例的粉料混 合搅拌并烧成,烧成温度为1200℃-1400℃,时间为 4-6hr;(2)粉碎、研磨烧成的混合料,并造粒加压成 片状进行烧结,烧结温度为1200℃-1400℃,时间为 4-7hr;(3)将烧结后的试料切割成条并烧副电极引 线成为样品。该复合材料是制备氧敏传感器的良好 材料,特别适于作汽车理论空燃比控制用的氧敏传感 器。
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