合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 复合材料技术

> 非晶SiO2包覆SiC同轴纳米电缆的合成方法

非晶SiO2包覆SiC同轴纳米电缆的合成方法

836   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:52:17
本发明公开了一种非晶SiO2包覆SiC同轴纳米电缆的合成方法,(一)取一定量的原料Si粉和SiO2粉进行球磨处理:(二)然后取经球磨处理并烘干的Si粉和SiO2粉,按Si∶SiO2=1∶1.2~1.5放入玛瑙研钵中研磨,使其充分混合;(三)对C/C复合材料基片进行加催化剂处理,并将经研磨混合后的Si粉和SiO2粉混合粉体、C/C复合材料基片及碳布放入石墨反应室中;(四)再将此石墨反应室放入石墨加热体的立式真空炉中;(五)将炉温升至900~1000℃,抽真空使炉内压力为400torr左右;(六)再将炉温升至1200~1300℃时,通C3H6气体5~10分钟后,再保温10~20分钟,关电源自然冷却至室温。由于采用了气相化学反应法,所以合成工艺简单,合成所需温度较低,并有利于规模化生产。
声明:
“非晶SiO2包覆SiC同轴纳米电缆的合成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
复合材料
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记