本发明公开了一种非晶SiO2包覆SiC同轴纳米电缆的合成方法,(一)取一定量的原料Si粉和SiO2粉进行球磨处理:(二)然后取经球磨处理并烘干的Si粉和SiO2粉,按Si∶SiO2=1∶1.2~1.5放入玛瑙研钵中研磨,使其充分混合;(三)对C/C
复合材料基片进行加催化剂处理,并将经研磨混合后的Si粉和SiO2粉混合粉体、C/C复合材料基片及碳布放入石墨反应室中;(四)再将此石墨反应室放入石墨加热体的立式真空炉中;(五)将炉温升至900~1000℃,抽真空使炉内压力为400torr左右;(六)再将炉温升至1200~1300℃时,通C3H6气体5~10分钟后,再保温10~20分钟,关电源自然冷却至室温。由于采用了气相化学反应法,所以合成工艺简单,合成所需温度较低,并有利于规模化生产。
声明:
“非晶SiO2包覆SiC同轴纳米电缆的合成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)