本发明公开了一种合成Ag/Ag
2S/CdS异质结的多级进样微流控
芯片的制备方法。本发明针对现有合成
纳米材料技术的不足,公开了一种合成Ag/Ag
2S/CdS异质结的多级进样微流控芯片,其中设置有CdS微液滴形成区,CdS纳米颗粒混合反应区,Ag
2S/CdS微液滴形成区,Ag
2S/CdS异质结混合反应区,Ag/Ag
2S/CdS形成区,实现了微流控芯片对纳米
复合材料合成的有效控制。本发明设计的多级进样微流控芯片结构优化,操作方便,实现了分步进样,能够合成分散性好,尺寸大小均匀的纳米复合材料。另外,多级进样可以实现不同浓度,不同比例的进样,从而实现不同尺寸和性能纳米复合材料的成功制备。
声明:
“合成Ag/Ag2S/CdS异质结的多级进样微流控芯片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)