本发明涉及一种锗量子点的生长方法,所述方法为在
石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面,在界面上实现了Ge量子点的生长,避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序,简化了工艺流程;且保证了锗量子点的低杂质元素含量和低缺陷密度,且保证了锗量子点的自组织生长过程,形成了形貌统一和密度均匀的锗量子点。
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