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掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法

999   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-03 01:00:09
一种掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法,它是在特定晶面方向的二硅酸镥衬底上采用电阻加热液相外延炉生长掺杂二硅酸镥闪烁薄膜形成的透明荧光屏,其结构表述为:(CexMzReyLu1-x-y-z)2Si2O7/(Lu1-yRey)2Si2O7,其中:0.001≤x≤0.01,0≤y≤0.3,0.001≤z≤0.01。Re代表Sc、Er、La、Ho、Dy、Yb、Y、Gd或In等的一种或多种,M代表Eu或Tb中的一种,这种荧光屏可以广泛应用于科学研究、医疗、工业无损检测、地质勘探、安全检查以及国防等射线探测领域中。
声明:
“掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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