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高居里点低铅压电陶瓷材料及其制备方法

725   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-03 01:00:08
本发明涉及一种高居里点低铅压电陶瓷材料及其制备方法,属于功能陶瓷应用技术领域。用Bi对PZT陶瓷进行取代改性,采用模板晶粒生长法(TGG)制备出一种低铅压电陶瓷材料,并改善其居里温度。其化学式为Bi(Zn1/2Ti1/2)O3-PbTiO3。可以广泛应用于航天、石化、冶金、地质勘探等众多重要科研与工业部门,例如高温加速度计、高温传感器、涡街流量计以及螺栓孔冷胀工艺中的压电装置等。本发明的效果是:在制备过程中用Bi来替代部分Pb,不仅可以有效减少陶瓷中Pb的含量,增加压电陶瓷的环境协调性,而且还增加了材料的居里温度,扩展了其使用范围。
声明:
“高居里点低铅压电陶瓷材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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