本发明涉及一种硅碳氮吸波陶瓷基
复合材料的制备方法,经CVD/CVI技术,在适合的温度范围内,采用SiCl4、SiHCl3或其它氯硅化物、
硅烷作为硅源,CH4、C3H6、C2H2或其它烷烃、烯烃、炔烃作为碳源,NH3或N2作为氮源,H2作为载气与反应气体,Ar作为稀释气体,在基底材料上原位合成SiCN,获得了均匀致密、无杂质、组分和吸波性能可设计的SiCN基体和涂层。本发明克服现有技术制备CFCC-SiC吸波性能不高的不足,同时便于实现所制备的吸波基体的组分、渗透性、厚度以及吸波性能的控制。
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