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高临界温度超导厚膜磁通变换器

720   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-03 00:50:11
本发明涉及与超导量子干涉器(SQUID)配用的 高Tc超导厚膜磁通变换器，主要包括：衬底、高Tc 超导厚膜螺旋线圈，厚膜回线和中间绝缘层，所用超 导材料是Y系或Bi系氧化物，衬底用ZrO， Al2O2，SiTi3O或MgO材料，中间绝缘层采用 Y2BaCuO，BaCuO，ZrO，Al2O3，SrTi3O，PrBa2Cu3O或 MgO材料，螺线与回线之间可以通过不同方式构成 闭合回路，所述的变换器与SQUID配用可提高磁场 测量灵敏度，适用于医学工程以及计量、地质、生物等 技术领域。
声明：
“高临界温度超导厚膜磁通变换器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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