本发明公开了一种C/C
复合材料表面制备SiC纳米线和纳米带的方法,将打磨抛光干燥后的C/C复合材料置于沉积炉中,低压2kPa下通电升温至预定温度后,向装有甲基三氯
硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气,将反应气源带入炉堂内进行反应。沉积结束后随炉冷却至室温,即可得到大量高纯SiC纳米线和纳米带;本发明SiC纳米线和纳米带合成工艺简单,不需要预先合成工艺;沉积温度较低,降低了能耗和制备成本;制备的SiC纳米线和纳米带纯度较高;可通过工艺参数的调节实现SiC纳米线和纳米带的可控生长,易于实现工业生产,解决了现有技术中SiC纳米线和纳米带制备工艺较为复杂、合成温度高、能耗大、成本高、产物难以控制的问题。
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“C/C复合材料表面SiC纳米线和纳米带的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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