本发明属于材料领域,公开一种降低金刚石/铜
复合材料界面热阻的制备方法,特征在于通过热催化气相化学过程,在包裹金属钴的金刚石颗粒表面与钴界面处原位生长
石墨烯,调节金刚石与铜之间的声子‑电子耦合及散射,降低界面热阻。本发明解决了金刚石/铜界面热阻问题,采用本发明的技术方法所制备的金刚石/铜复合材料具有较高的热导率,满足大功率集成电路封装材料的需求。
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“降低金刚石/铜导热复合材料界面热阻的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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