本发明公开了工作温度可控混合集成电路的集成方法,该方法是在正面衬底氮化铝陶瓷基片的正面进行常规混合集成电路集成,在正面衬底氮化铝陶瓷基片的背面进行半导体致冷器的集成;并分别从N型半导体、P型半导体的两端引出连接线,再进行键合,将整个电路连接起来;器件内部有热敏电阻,其位置紧靠对温度较敏感的半导体
芯片,用于检测器件内部工作环境温度,通过跟踪电阻的变化检测电阻两端电压的变化,从而控制外部可控开关电路和电流方向,控制升温或降温频度,从而达到温度控制的目的。本发明的集成电路广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯、工业控制等领域,具有广阔的市场前景。
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