本发明涉及一种MoS2/C纳米
复合材料及其制备方法。称取碳纳米片加入到去离子水中,先搅拌30min、再超声30min使之均匀分散。加入MoO3和KSCN,持续磁力搅拌30min后转移至100mL反应釜中,在220℃下反应24h,使MoO3与KSCN反应完全生成MoS2并生长在碳纳米片上。反应结束后取出冷却至室温,用去离子水洗涤离心,并在真空干燥箱中干燥。本发明解决了MoS2单体比电容低和团聚问题。所得产品是一种结构稳定并具有良好
电化学性能的纳米复合材料。
声明:
“MoS2/C复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)