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非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法

971   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-03 00:40:03
本发明是涉及一种非真空坩埚下降法生长氯化 镧晶体的方法。其特征在于使用高纯含结晶水的 LaCl3原料,并在保持流动的惰 性气氛中和不低于150℃的温度下保温10-20小时,获得无水 氯化镧原料脱水。同时选择具有强还原作用的活性碳粉、硅粉、 氟化铅或四氯化碳中一种作为脱氧剂。脱氧剂的加入既克服了 含水氯化镧原料在高温脱水过程中所产生的氯氧化镧杂质。采 用静止的双温区炉体结构,以微型电机驱动变速装置使坩埚以 可调节的恒定速率下降。该技术在使用过程中具有操作简便、 成本低、性能好和适合大批量生产等特点。本发明所生长的铈 掺杂氯化镧(Ce∶LaCl3)晶体适 用于核医学成像SPECT(单光子正电子发射断层扫描成像)、核 辐射探测、安全检查地质勘探等应用领域。
声明:
“非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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