本发明是关于
半导体材料领域,旨在提供多孔g-C3N4/AgBr纳米
复合材料的制备方法。本发明包括如下步骤:取三聚氰胺粉末倒入刚玉坩埚舟中,通入氩气将真空管式炉中的空气排尽,经热处理制得块状g-C3N4进行研磨;将g-C3N4颗粒分散于异丙醇中,将超声处理后所得的悬浊液直接放在60℃烘箱中进行干燥,然后取研磨好的g-C3N4样品分散于乙醇中;将多孔g-C3N4颗粒分散于乙醇中并超声处理1h,在搅拌过程中加入溴化物水溶液并继续搅拌3h,再加入AgNO3水溶液,制得多孔g-C3N4/AgBr纳米复合材料。本发明的有益效果是:提出了一种简单的无模板法制备具有多孔结构的g-C3N4。
声明:
“多孔g-C3N4/AgBr纳米复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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