本发明属于材料化学技术领域,具体涉及一种低介电常数中空
氧化铝/二氧化硅纳米
复合材料,并进一步公开其制备方法及应用。所述低介电常数中空氧化铝/二氧化硅纳米复合材料为具有闭合空腔结构的叠层壳体结构,通过在中空二氧化硅壳层外表面定向沉积氧化铝,其内层壳体为二氧化硅层,并在二氧化硅层表面沉淀生长氧化铝外壳壳体,有效结合了氧化铝与二氧化硅的优点,可同时发挥中空二氧化硅的低介电常数、低折射率、高频介电稳定性的优点,同时利用氧化铝材料高强度、抗化学侵蚀、热导率小、热膨胀系数低等优势,可适用于减反射领域及5G毫米波频段领域的性能要求。
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“低介电常数中空氧化铝/二氧化硅纳米复合材料及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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