本发明公开了一种GaN微米棒阵列/
石墨烯场发射阴极
复合材料制备方法,具体步骤如下:步骤1,对硅衬底镀铂薄膜,然后将镀过铂薄膜的硅衬底进行退火处理,退火结束后自然冷却到室温,得到衬底A;步骤2,将步骤1得到的衬底A与反应源一起进行热处理,衬底A与反应源之间保持一定距离,反应完成后自然冷却到室温,得到衬底B;步骤3,将步骤2得到的衬底B进行热处理,反应完成后自然降温至室温,即得GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料。通过该方法制备得到的GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料具有优良的场发射特性。
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