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TAT多肽修饰的MXene/氨基化细菌纤维素电磁屏蔽复合材料及其制备方法

614   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:04:01
本发明公开了一种TAT多肽修饰的MXene/氨基化细菌纤维素电磁屏蔽复合材料及其制备方法。采用原位合成氢氟酸刻蚀法制备Ti3C2Tx,并用TAT多肽修饰制备出A‑Ti3C2Tx/Ti3C2Tx纳米片。通过对细菌纤维素进行氨基化处理,以液相喷涂‑真空过滤得到TAT多肽修饰的MXene/氨基化细菌纤维素复合材料。A‑Ti3C2Tx带有大量正电荷,能与Ti3C2Tx通过静电作用结合,从而增强MXene纳米片之间的结合力,提高致密度。氨基化后的细菌纤维素含有大量‑NH2和‑OH,能够与A‑Ti3C2Tx/Ti3C2Tx纳米片以氢键的形式结合,使复合材料具有高致密度,高机械强度等优点。
声明:
“TAT多肽修饰的MXene/氨基化细菌纤维素电磁屏蔽复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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