本发明公开了一种强红外发光的Cu2O/SnO半导体
复合材料,所述复合材料是将CuO粉末与SnS粉末按照摩尔比10:1~1.2充分混合后压片,然后在氮气气氛中800~950℃下退火5~15min获得。本发明使用SnO对Cu2O进行掺杂改性,可有效提高Cu2O光电性能,所得复合材料的光致发光强度最高可达到纯CuO退火后得到的Cu2O的533倍左右,同时具有光吸收系数高、化学性质稳定、自然储量丰富、制作成本低、合成条件不苛刻和温度窗口宽等优点,很适合大规模生产使用,有望成为光电性能材料领域的新型材料。
声明:
“强红外发光的Cu2O/SnO半导体复合材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)