本发明公开了一种基于p‑6p/C8‑BTBT
复合材料的OFET管及其制备方法。本发明的OFET管包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(4)和漏极(5),有源层(3)为p‑6p/C8‑BTBT复合材料,在绝缘层(2)表面上覆盖p‑6p层(31),在p‑6p层上结晶C8‑BTBT层(32),形成有序晶体状有机薄膜。本方法发明包括步骤:1、ITO基片的预处理;2、在基片上旋涂绝缘层;3、蒸镀p‑6p/C8‑BTBT复合材料;4、源漏电极的制备。本发明的OFET管提高了OFET管性能,且能降低OFET管制备难度,制备工艺简单;本方法发明克服了现有技术用高纯度有机
半导体材料制备OFET管的技术偏见,在微电子及应用电子领域有广泛的应用价值。
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“基于p‑6p/C8‑BTBT复合材料的OFET管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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