一种铝基碳化硅高密度封装半导体
复合材料,以重量计,包括以下原料:铝20~40份、镁6~10份、碳化硅微粉15~19份、
碳纤维增强体10~20份、钛10~14份、铌2~6份、铂3~7份、铁10~20份、铜10~14份;本发明的有益效果是在原料中加入了钛、铌、铂和碳纤维增强体,从而使铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料的结构强度更高,防止铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料在使用时发生损坏。
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“铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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