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钛硅碳界面改性SiCf/SiC吸波复合材料及其制备方法

1085   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:44:02
本发明公开一种钛硅碳界面改性SiCf/SiC吸波复合材料及其制备方法,将碳化硅纤维预制体置于CVD炉恒温区内,在适合的温度范围内,采用化学气相渗透法在碳化硅纤维表面沉积钛硅碳界面层;然后将其置于含有聚碳硅烷和钛硅碳的浆料中进行浸渍,采用前驱体浸渍裂解法(PIP)制备陶瓷基复合材料。本发明制备出了含有Ti3SiC2界面的SiCf/SiC复合材料,工艺简单,成本低,且有效调控了吸波复合材料的介电常数,达到良好的吸波效果。
声明:
“钛硅碳界面改性SiCf/SiC吸波复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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