本发明公开一种钛硅碳界面改性SiCf/SiC吸波
复合材料及其制备方法,将碳化硅纤维预制体置于CVD炉恒温区内,在适合的温度范围内,采用化学气相渗透法在碳化硅纤维表面沉积钛硅碳界面层;然后将其置于含有聚碳
硅烷和钛硅碳的浆料中进行浸渍,采用前驱体浸渍裂解法(PIP)制备陶瓷基复合材料。本发明制备出了含有Ti
3SiC
2界面的SiCf/SiC复合材料,工艺简单,成本低,且有效调控了吸波复合材料的介电常数,达到良好的吸波效果。
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