本发明涉及了一种SnS2纳米盘@RGO
复合材料的制备方法,具体涉及到采用相关Sn盐,采用控制反应物浓度、反应温度及时间即可实现纳米复合结构的制备。具体为将一定量的氧化
石墨烯超生分散为水溶液后;加入溶于酸溶液的Sn盐溶液搅拌形成均匀的混合溶液;后缓慢加入定量的乙酰硫脲后持续搅拌,将搅拌后的溶液放入反应釜中后放置在马弗炉中,于180℃下反应12小时取出;采用冰水混合溶液降温后将反应的沉淀产物离心提纯后用乙醇和去离子水洗涤3次,在真空干燥箱中于60℃下干燥5小时,即可制得可明显提高电池比容量和降低循环损失率的SnS2纳米盘@RGO复合材料。
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“二硫化锡纳米盘@还原氧化石墨烯复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)