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硒化物纳米棒

1210   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-02 00:40:05
本发明公开了一种硒化物纳米棒,属于纳米半导体的制备领域。包括如下步骤:将KOH、SeO2粉、AgNO3和In(NO3)3溶解于非配位溶剂和少量的乙二胺中,在惰性气体保护下,温度为200~240℃,并剧烈搅拌,保温12~24小时,制备得到硒化物纳米棒。碱在熔融状态下的其氢氧根离子分离成,然后在非配位溶剂的稀释下,降低其粘度提高其流动性,在熔融碱的这样的碱性环境中In2Se3形成纤锌矿结构的晶核,最后通过乙二胺分子在反应混合物中对晶面的竞争性吸附,诱导生长方向,促使In2Se3晶核继续吸附和少量的和各向异性生长。解决了在实际使用过程中,本征电导率过低,导致探测器的光谱响应度和外量子效率较低的问题。
声明:
“硒化物纳米棒” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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