本发明公开了一种硒化物纳米棒,属于纳米半导体的制备领域。包括如下步骤:将KOH、SeO
2粉、AgNO
3和In(NO
3)
3溶解于非配位溶剂和少量的乙二胺中,在惰性气体保护下,温度为200~240℃,并剧烈搅拌,保温12~24小时,制备得到硒化物纳米棒。碱在熔融状态下的其氢氧根离子分离成
和
,然后在非配位溶剂的稀释下,降低其粘度提高其流动性,在熔融碱的这样的碱性环境中In
2Se
3形成纤锌矿结构的晶核,最后通过乙二胺分子在反应混合物中对晶面的竞争性吸附,诱导生长方向,促使In
2Se
3晶核继续吸附
和少量的
和各向异性生长。解决了在实际使用过程中,本征电导率过低,导致探测器的光谱响应度和外量子效率较低的问题。
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