本发明公开了一种混合价态锡基氧化物
半导体材料的制备方法及应用,将四价锡盐和二价锡盐按照预设摩尔比例溶于水中,加入沉淀剂进行沉淀;进行离心分离和去离子水清洗;将产物置于水热反应装置中,加入矿化剂,并加水分散经水热反应得到锡基氧化物半导体材料纳米晶。所得的锡基氧化物半导体材料可以作为
太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应管等光电器件中的载流子传输层或者缓冲层,由于混合价态锡基氧化物组分可调,从而具有载流子迁移率、能带结构、透光率、导电性等半导体材料性能可调的优点,同时本发明制备方法工艺简单,反应条件温和,在光电器件领域对器件的灵活设计与性能优化有着明显的促进作用,有很大的工业化应用前景。
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