权利要求
1.高循环硅基负极材料，其特征在于，所述高循环硅基负极材料包括：多孔氮化物、硅和非金属掺杂元素; 所述高循环硅基负极材料通过热等离子体法制备得到，具体为：由第一硅源材料和含非金属掺杂元素的材料，在高频等离子体处理设备中电离形成温度在5000K以上的等离子气体，再冷却、沉积成核，得到的以多孔氮化物作为骨架，硅和非金属掺杂元素均匀内嵌分布的高循环硅基负极材料； 或，所述高循环硅基负极材料通过硅烷化学气相沉积法制备得到，具体为:由含非金属掺杂元素的材料高温气化后，通入第二硅源材料的气体，再冷却、沉积成核，得到的以多孔氮化物作为骨架，硅和非金属掺杂元素均匀内嵌分布的高循环硅基负极材料； 所述含非金属掺杂元素的材料包括：一种或多种B、N、P、S、C、As、Se任意一种非金属掺杂元素的物质；所述非金属掺杂元素占所述硅质量的百分比为0%-20%。2.根据权利要求1所述的高循环硅基负极材料，其特征在于，所述多孔氮化物包括：多孔氮化硅、多孔氮化钛、多孔氮化硼、多孔氮化镓中的一种或多种; 所述多孔氮化物的粒径D 50在500nm-100μm之间；所述多孔氮化物的孔隙的孔径在300nm-30μm之间；所述多孔氮化物的孔隙率在30%-95%之间； 所述第一硅源材料包括：硅粉、甲硅烷、乙硅烷、四氟硅烷、氯硅烷、六甲基二硅烷、三(三甲基硅基)硅烷中的一种或多种； 所述第二硅源材料包括：甲硅烷、乙硅烷、四氟硅烷、氯硅烷、六甲基二硅烷、三(三甲基硅基)硅烷中的一种或多种； 所述非金属掺杂元素占所述硅质量的百分比为0.5%-10%。 3.根据权利要求1所述的高循环硅基负极材料，其特征在于，所述高循环硅基负极材料还包括碳包覆层；所述碳包覆层的质量占所述高循环硅基负极材料总质量的百分比为0-20%。 4.上述权利要求1-3任一所述的高循环硅基负极材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法为高频热等离子体法，包括： 将多孔氮化物置于高频等离子体处理设备的冷凝区，将第一硅源材料和含非金属掺杂元素的材料置于所述高频等离子体处理设备的高温区； 向所述高频等离子体处理设备通入保护气置换空气，开启所述高频等离子体处理设备的等离子体发生器，电离工作气，使所述第一硅源材料和所述含非金属掺杂元素的材
声明：
“高循环硅基负极材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：溧阳天目先导电池材料科技有限公司
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2025年05月23日 ~ 25日 
