本发明涉及一种基于梯度功能
复合材料封装的压接型IGBT功率模块,集电极金属层和发射极金属层之间IGBT子模块包括从上到下依次压接的集电极梯度功能复合材料层、IGBT功率
芯片、发射极梯度功能复合材料层、铜底座和栅极PCB板,压接后的IGBT子模块外套装封装外壳支架,压接后发射极梯度功能复合材料层和铜底座的缺口内放置有栅极弹簧顶针,集电极梯度功能复合材料层与集电极金属层和IGBT功率芯片集电极表面以及发射极梯度功能复合材料层与IGBT功率芯片的发射极表面和铜底座的热膨胀系数相匹配,解决现有压接型IGBT功率模块中IGBT功率芯片与封装材料组件间热膨胀系数不匹配导致组件界面电热接触性能下降、散热效率降低、器件使用寿命缩短的问题。
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“基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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