本发明提供一种神经形态视觉传感器及其应用和制备方法,属于半导体技术领域,所述视觉传感器包括高k介质层、
钙钛矿层和顶栅电极,所述钙钛矿层位于高k介质层之上、顶栅电极位于钙钛矿层之上,所述神经形态视觉传感器在紫外至可见光波段都具备正向/负向光电流响应。本发明通过在AlGaN/GaN异质结构中引入高k介质层/钙钛矿层作为栅介质,将AlGaN/GaN异质结构和钙钛矿优异的光电性质结合在一起,所提出的视觉传感器架构成功突破了AlGaN/GaN异质结构光电探测器单向光响应的限制,实现了有效地感知和存储紫外线‑可见光区域的光学信息。
声明:
“神经形态视觉传感器及其应用和制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)