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基于GaN/CsPbBrxI3-x异质结的光响应型LED及其制备方法和应用

836   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-02 00:30:07
本发明涉及一种基于GaN/CsPbBrxI3‑x异质结的光响应型LED及其制备方法和应用。本发明的光响应型LED由蓝宝石氮化镓基片、全无机钙钛矿CsPbBrxI3‑x薄膜、铟电极、碳电极组成，是一种In/GaN/CsPbBrxI3‑x/C结构，其中：CsPbBrxI3‑x薄膜中0xI3‑x薄膜层设置在氮化镓层上，同时并列设置铟电极，CsPbBrxI3‑x薄膜层上设置碳电极。本发明CsPbBrxI3‑x薄膜是采用采用低温反溶剂法制得，制得的LED器件可实现自供电可见探测与可见发光的集成，可作为发射端或接收端应用在可见光无线通信中，解决可见光无线通信技术中反向通信的难题。
声明：
“基于GaN/CsPbBrxI3-x异质结的光响应型LED及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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