本发明涉及一种基于GaN/CsPbBr
xI
3‑x异质结的光响应型LED及其制备方法和应用。本发明的光响应型LED由蓝宝石氮化镓基片、全无机
钙钛矿CsPbBr
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3‑x薄膜、铟电极、碳电极组成,是一种In/GaN/CsPbBr
xI
3‑x/C结构,其中:CsPbBr
xI
3‑x薄膜中0
xI3‑x薄膜层设置在氮化镓层上,同时并列设置铟电极,CsPbBrxI3‑x薄膜层上设置碳电极。本发明CsPbBrxI3‑x薄膜是采用采用低温反溶剂法制得,制得的LED器件可实现自供电可见探测与可见发光的集成,可作为发射端或接收端应用在可见光无线通信中,解决可见光无线通信技术中反向通信的难题。
声明:
“基于GaN/CsPbBrxI3-x异质结的光响应型LED及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)