本发明公开了一种基于GaN/CsPbBr3异质结的光响应型LED及其制备方法,它是由蓝宝石氮化镓基片、全无机
钙钛矿CsPbBr3薄膜、铟电极、碳电极组成,是一种In/GaN/CsPbBr3/C结构,其制备方法为选取蓝宝石GaN基片并清洗,制备In底电极,反溶剂辅助生成全无机钙钛矿CsPbBr3多晶薄膜,制备碳顶电极,完成后,即为制作成的一个完整LED器件。在无外加偏压时,是实现波长范围在350nm~550nm的光探测;在正向偏压下,能够发射出峰值位于525nm的绿光。本发明工艺简单,成本低,双功能效果好。
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“基于GaN/CsPbBr3异质结的光响应型LED及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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