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基于GaN/CsPbBr3异质结的光响应型LED及其制备方法

1011   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-01 01:00:08
本发明公开了一种基于GaN/CsPbBr3异质结的光响应型LED及其制备方法，它是由蓝宝石氮化镓基片、全无机钙钛矿CsPbBr3薄膜、铟电极、碳电极组成，是一种In/GaN/CsPbBr3/C结构，其制备方法为选取蓝宝石GaN基片并清洗，制备In底电极，反溶剂辅助生成全无机钙钛矿CsPbBr3多晶薄膜，制备碳顶电极，完成后，即为制作成的一个完整LED器件。在无外加偏压时，是实现波长范围在350nm～550nm的光探测；在正向偏压下，能够发射出峰值位于525nm的绿光。本发明工艺简单，成本低，双功能效果好。
声明：
“基于GaN/CsPbBr3异质结的光响应型LED及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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