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宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法

927   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-01 01:00:07
本发明属于钙钛矿太阳能电池、光电探测器以及宽禁带半导体光电材料与器件技术领域,公开了一种宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法,在超声清洗机中用异丙醇、乙醇和去离子水各清洗30分钟,利用紫外臭氧处理衬底15分钟,对宽禁带半导体衬底进行彻底清洗;在经过彻底清洗的宽禁带半导体衬底上采用旋涂仪旋涂碘化铅或无机钙钛矿前体溶液;经过退火处理后,即可得到高质量的碘化铅和钙钛矿单晶薄膜。本发明采用旋涂工艺生长高质量碘化铅和钙钛矿单晶薄膜的技术,通过优化前体溶液的配比以及薄膜生长温度,使用旋涂工艺在宽禁带半导体衬底上生长碘化铅或钙钛矿材料,获得了高质量的外延单晶薄膜,应用于制造高效光电探测器或太阳能电池。
声明:
“宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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