本发明公开了一种制备多孔硅?铜
复合材料的方法,具体为:将CuO、Mg2Si两种粉体原料均匀混合,在600~700℃下进行热处理,再经酸洗及后处理得到所述的多孔硅?铜复合材料。本发明的制备工艺简单,具有很大的操作性,所采用的原料来源丰富,价格便宜,所使用的方法途径容易在工厂中进行,特别是巧妙利用了镁和氧化铜的置换反应,在制得多孔硅的同时,生成纳米级的铜颗粒均匀弥散于多孔硅的表面,更加充分的发挥了铜对整个材料体系导电性的提高作用和铜颗粒对硅在脱嵌锂离子时的体积变化的缓冲作用。是一种潜在的可大规模合成结构独特的硅?铜复合材料的方法。
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