以La2TiO5作为单一前驱体,在高温氨气氛下进行热氨解氮化,制备吸收带边为600nm左右的无EPR和UV‑Vis‑NIR光谱可探测的缺陷的LaTiO2N半导体,惰性气氛退火处理,得到缺陷浓度可调变的LaTiO2N,提高LaTiO2N光催化活性。或者以La2Ti2O7作为单一前驱体,在高温氨气氛下进行热氨解氮化,制备具有缺陷的LaTiO2N半导体,惰性气氛退火处理进一步增加缺陷浓度,提高LaTiO2N光催化活性。本方法中,La2TiO5作为前驱体能够有效抑制高温氮化过程中Ti的还原,抑制低价Ti缺陷或杂相的形成,为缺陷浓度调控提供全范围基础;采用简单的惰性气氛退火处理形成阴离子空位缺陷,通过改变退火参数方便地调变缺陷浓度,实现光催化活性优化。
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