本发明属于微电子技术领域,公开了一种具有光电二极管效应的双
钙钛矿薄膜器件及其制备方法和应用,该器件是在硅片上先旋涂LaNiO
3或La
0.7Sr
0.3MnO
3前驱体溶液,得到凝胶湿膜,预退火后重复旋涂、烘干、热解和预退火过程,在750~800℃退火,在底电极上旋涂Bi
2FeCrO
6前驱体溶液,擦拭凝胶湿膜露出部分底电极,预退火后再重复旋涂、烘干、热解和预退火过程,在750~800℃退火制备Bi
2FeCrO
6薄膜,在其正面镀上顶电极制得;该薄膜器件结构为顶电级/Bi
2FeCrO
6薄膜/底电极/n‑Si基片。该器件结构具有明显的二极管效应,还具有响应灵敏,线性变化好,光电转换效率高,抗干扰能力强,体积小,工作寿命长的优点。其制备工艺简单,二极管效应良好稳定,在光强探测器领域有广阔的应用前景。
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“具有光电二极管效应的双钙钛矿薄膜器件及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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