本发明公开了一种原位生长SiC纳米线改性SiC
f/SiC陶瓷基
复合材料的制备方法和应用,所述制备方法为将含金属镀层的石墨片与
碳纤维预制体在不接触的情况下共同置于化学气相沉积炉,通过化学气相沉积于碳纤维预制体的孔隙及表面原位生长SiC纳米线,获得带SiC纳米线的SiC纤维预制体,再通过化学气相沉积获得SiC基体,即得SiC纳米线改性SiC
f/SiC陶瓷基复合材料,本发明通过间接引入金属催化剂,金属催化剂呈气相扩散到SiC纤维预制体的表面以及内部孔隙,催化剂分布更加均匀,催化生长的SiC纳米线密度适中。得到的含SiC纳米线SiC
f/SiC复合材料,最大压溃载荷可达1175.0N,与现有技术中的SiC纳米线改性SiC
f/SiC陶瓷基复合材料相比,本发明所得管状SiC
f/SiC复合材料压溃性能大幅提升。
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“原位生长SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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