本发明公开了一种降低二氧化钒薄膜相变温度的方法,包括以下步骤:1)制备出具有相变功能的M相二氧化钒薄膜,所述M相二氧化钒薄膜形成于基板上;2)将步骤1)制备的M相二氧化钒薄膜样品置于退火装置中,将退火装置抽真空至真空度为200~2000Pa后保持真空度不变或者抽真空至真空度为200~2000Pa后通入惰性气体至标准大气压,再升温至280~320℃,保温时间为0.5~3h,然后随炉自然冷却至室温,即可得到相变温度降低的二氧化钒薄膜。本发明能够降低纯氧化钒薄膜的相变温度,也能降低掺杂氧化钒薄膜的相变温度,具有非常广阔的使用范围。此外,本发明处理温度低,工艺简单,安全性好,在高端光电
功能材料领域具有广阔的应用前景。
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