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钙钛矿薄膜的制备方法

1152   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-01 00:50:06
本发明公开一种钙钛矿薄膜的制备方法,属于半导体电子薄膜技术领域;本发明经过La0.7Ca0.3MnO3:Ag0.2多晶陶瓷靶材的制备、薄膜材料的制备、薄膜材料后退火处理制得钙钛矿薄膜;本发明方法制备的钙钛矿薄膜电阻率值低,金属‑绝缘体转变温度(Tp)更接近室温,电阻温度系数(TCR)更大,能够更广泛的应用于近室温磁电子器件、超巨磁电阻测辐射热仪、红外探测器等器件。
声明:
“钙钛矿薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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