本发明涉及一种硫银锗矿热电材料,其化学式为Ag8Sn1?xNbxSe6,x=0~0.05;该热电材料的制备方法以单质为原料,按所述的化学式的化学计量比进行配料,通过真空封装、熔融反应淬火及热处理淬火后,研磨成粉末,进行真空高温热压烧结,缓慢冷却后得到的块体材料即为硫银锗矿热电材料。与现有技术相比,本发明制得了低导热高热电性能的高性能热电材料,探索出制备高致密度、高机械强度和高热电性能的热电材料的方法,该热电材料在全温度范围内具有极低的晶格热导率(0.2~0.4W/m·K),温度为900K时热电峰值达到1.2,在300~850K时平均热电优质zTave~0.8,是一类极具潜力的热电材料。
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