本发明属于光电
功能材料技术领域,尤其涉及一种相变可控的全无机
钙钛矿薄膜制备方法及器件应用。所述方法包括:(1)将先驱物溴化铅和溴化铯分别置于气相沉积装置内,将衬底置于沉积区,并对整个装置抽真空;(2)向气相沉积装置内通入惰性气体;(3)设定沉积温度和沉积时间,沉积温度选自500‑800℃,不同沉积温度下,钙钛矿薄膜的成分和晶型不同。本发明采用化学气相沉积方法,工艺条件简单,易于精确控制,适合产业化生产,同时薄膜均匀性好,与衬底材料附着性,覆盖性好,制备的光电薄膜,具有广阔的应用前景。本发明通过改变沉积温度,实现钙钛矿相从CsPb
2Br
5到CsPbBr
3可控生长。基于本发明得到的钙钛矿薄膜制备的光电探测器,表现出良好的光电响应和开关特性。
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“相变可控的全无机钙钛矿薄膜制备方法及器件应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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