本发明涉及一种带隙可调的全无机
钙钛矿单晶及其生长方法,该方法先将卤化铯和卤化铅原料在单温区炉中高温反应烧结,得到纯相混卤钙钛矿晶体多晶料,然后密封入石英坩埚中,再装入双温区布里奇曼炉的生长腔内进行晶体生长,本发明采用高温区、低温区进行加热,可以提高晶体的结晶质量以及光学透过率,得到的混卤全无机钙钛矿单晶实现1.86~2.88eV可调节的带隙,在窄带宽光电探测等领域有着极好的应用前景。
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