本发明属于集成电路制造领域,其公开了一种原子层沉积制备有机无机杂化卤素
钙钛矿材料的方法,该方法主要包括两部分:通过对材料基底进行3‑氨基丙基三乙氧基
硅烷(APTES)与氢碘酸或者十三氟辛基三乙氧基硅烷(FOTS)等表面处理,实现含铅前体的有效附着,能够形成一层单分子层;通入有机铵盐前体与单层含铅前体反应形成单层材料,多次循环得到最终的有机无机杂化卤素钙钛矿光电材料。本发明方法利用气相的原子层沉积方法,通过调控循环周期数进而得到所需厚度的薄膜材料,并且能够制备出大面积均匀的钙钛矿薄膜,从而拓展有机无机杂化卤素钙钛矿材料在
太阳能电池、光探测器、激光器等光电领域的应用。
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