本发明公开了一种二极管的优化生产工艺,将硅晶
芯片切割成六边形的单元体酸洗后,进行清洗;在400~500℃下进行氧化反应;管芯在650~750℃下进行真空烧结,30分钟后进行镀膜;将管芯切割为六边形直棱柱;用30~50度角的锥形磨角器将管芯研磨出第一斜面,然后再在第一斜面的上沿研磨出同一角度的第二斜面;将切割好的管芯放置在酸溶液内进行酸洗,然后涂聚酰亚胺进行固化处理;进行模压处理,模压后在180℃下进行烘烤;最后对所得产品进行表面处理,通过再测试后,进行成品包装。本发明采用多层压接式的结构,降低管芯的热疲劳,减少漏电、性能良好;不使用焊接,有效防止电阻增加;在管芯真空烧结前进行酸洗,防止引线及焊片引入其他杂质元素。
声明:
“二极管的优化生产工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)