本发明公开了,涉及铌片制备技术领域,其包括如下步骤:第一步、严格选用矿石,利用萃取设备多次酸洗和反铌萃取;第二步、进行铝热还原、水平电子束,控制杂质元素含量;第三步、进行真空电子束精炼提纯,控制熔炼速度、熔炼真空度、熔炼功率;第四步、对整个过程进行整体过程进行二次污染控制;第五步、采用半成品高纯度铌片作为包覆材料,进行叠轧及包覆轧制工艺进行轧制。本发明在制备过程中,严格控制除钽元素以外,其余残余元素的含量,并控制铌片厚度,使最后制备的高纯度铌片可准确进行1.0MeV快中子的探测。
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