本发明属于半导体领域,具体提供了一种基于氧化镓
钙钛矿多层堆叠结构的PIN二极管,包括最底层的Ga
2O
3衬底、生长在Ga
2O
3衬底表面一侧的CsPbI
3层和另一侧的底电极、生长在CsPbI
3层表面的钙钛矿层、生长在钙钛矿层表面的本征Ga
2O
3层以及生长在Ga
2O
3层表面的顶电极;本发明的PIN二极管具有使载流子快速分离和传导的性能,应用在光电探测器中可以使光电探测器实现紫外‑可见光的双波段探测。
声明:
“基于氧化镓钙钛矿多层堆叠结构的PIN二极管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)