本发明适用于光电领域,提供了一种光电探测器及其制备方法,该光电探测器包括:基底层;以及依次层叠设置在所述基底层上的
钙钛矿薄膜层、半导体等离子体层、NaYF
4中间层、上转换层和电极层;所述上转换层为以NaYF
4:Yb
3+,Tm
3+为壳,包覆NaYF
4:Yb
3+,Er
3+制得的上转换纳米颗粒层。该光电探测器对于980nm近红外光的窄带的响应率和光电探测率最高可达0.331A/W,4.23×10
10 Jones,外量子效率为41.92%,并且具有良好的稳定性,经过100天保存后,光电探测率仍然可以保持在初始值的70%。
声明:
“光电探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)