本发明属于微纳制造与光电子器件领域,并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法,包括步骤:S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列;S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移,采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案,该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中并与其连接;S3采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层,退火使CsPbCl3
钙钛矿扩散结晶,得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜。本发明克服了传统溶液法与光刻工艺不兼容的问题,可降低像元尺寸、提高像元密度,并降低电极面积占比,提升成像器件阵列密度,实现探测器小型化、集成化。
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