本发明属于半导体光电探测技术领域,具体涉及一种基于Cs2AgBiBr6薄膜的光电导型探测器及制备方法。其结构由Si衬底、绝缘的SiO2层、Au叉指电极和Cs2AgBiBr6薄膜构成。其特征在于,采用简单的制备方法实现了非铅Cs2AgBiBr6薄膜的制备,克服了传统
钙钛矿结构在不稳定性和铅毒性上的缺点,对钙钛矿光探测器简化工艺、环境友好、进而走向实用化具有非常重要的意义。
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“基于Cs2AgBiBr6薄膜的光电导型探测器及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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