本发明公开了大面积ABX3型
钙钛矿晶体薄膜生长方法及装置,所述装置包括一生长单元,所述生长单元包括生长基底、背板基底、U型薄膜;所述生长基底和背板基底相对平行设置,所述U型薄膜设置于其间,在中间形成一面开口三面密封的生长空腔。将钙钛矿生长溶液并注入上述装置中,通过调控钙钛矿晶体的生长温度和不断更换新鲜的生长溶液,制备大面积钙钛矿晶体薄膜。相对于现有技术,本发明使用所述装置生长所得的钙钛矿晶体薄膜面积大,厚度薄,缺陷少,稳定性好,可以在基底上原位生长钙钛矿晶体薄膜,接触性好,方便于器件的制备,所得的晶体薄膜可直接用于太阳电池、光探测器、光发射二极管、激光器及光催化等光电和发光器件。
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