本发明公开了一种改变
钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法,离子、原子或分子掺杂到钙钛矿材料晶格结构中,改变钙钛矿晶胞参数,进而改善钙钛矿材料能带结构、载流子迁移率、载流子寿命、协调发光特性、材料微结构形貌以及材料稳定性等,进而改善钙钛矿材料性能;包括:合成具有化学式ABX
3、A
2C
1D
1X
6或A
2B
xC
1‑xDX
6(0<x<1)的钙钛矿材料,再将电子、离子、原子、分子等掺杂进入钙钛矿结构中来改善其性能以及稳定性。本发明成本低廉、效果显著,适用于制备高质量高稳定性钙钛矿材料并具备工业化生产潜质,所得到的钙钛矿材料可以应用于钙钛矿
太阳能电池、发光二极管、微传感器件、激光器、光电探测器、光敏二极管、薄膜晶体管等光电、铁电、压电功能器件领域。
声明:
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我是此专利(论文)的发明人(作者)